产品简介
技术参数品牌：ON型号：FDMD8280批次：21+数量：5000制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：PQFN-12通道数量：2Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：80VId-连续漏极电流：40ARdsOn-漏源导通电阻：8
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | FDMD8280 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PQFN-12 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 80 V |
| Id-连续漏极电流： | 40 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 8.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 38 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | Power Clip |
| 高度： | 0.8 mm |
| 长度： | 5 mm |
| 系列： | FDMD8280 |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 宽度： | 3.3 mm |
| 商标： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 下降时间： | 8.9 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 12 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 26 ns |
| 典型接通延迟时间： | 15 ns |
| 单位重量： | 82.320 mg |
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