技术参数
品牌: | On |
型号: | FDD16AN08A0 |
批次: | 21+ |
数量: | 5000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 75 V |
Id-连续漏极电流: | 50 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 16 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 135 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 2.39 mm |
长度: | 6.73 mm |
系列: | FDD16AN08A0 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
下降时间: | 22 ns |
上升时间: | 54 ns |
典型关闭延迟时间: | 32 ns |
典型接通延迟时间: | 8 ns |
零件号别名: | FDD16AN08A0_NL |
单位重量: | 260.370 mg |
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