产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI2374DS-T1-GE3批次:21+数量:5000制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:5
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI2374DS-T1-GE3 |
批次: | 21+ |
数量: | 5000 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 5.9 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 30 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 8 V, + 8 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 400 mV |
Qg-栅极电荷: | 20 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.7 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | TrenchFET |
配置: | Single |
高度: | 1.45 mm |
长度: | 2.9 mm |
系列: | SI2 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 1.6 mm |
商标: | Vishay Semiconductors |
正向跨导 - 最小值: | 29 S |
下降时间: | 10 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 23 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 16 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
单位重量: | 8 mg |
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