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当前位置:深圳市比恩瑞电子有限公司>>晶体管>>其他晶体管>> SI2374DS-T1-GE3SI2374DS-T1-GE3 场效应管 VISHAY 批次21+

SI2374DS-T1-GE3 场效应管 VISHAY 批次21+

产品二维码
参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:SI2374DS-T1-GE3
  • 品牌:
  • 产品类别:光隔离器
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-10-24 20:50:00
  • 浏览次数:8
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深圳市比恩瑞电子有限公司

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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:1163条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2023-10-24
  • 最近登录:2023-10-24
  • 联系人:梅先生
产品简介

技术参数品牌:VISHAY型号:SI2374DS-T1-GE3批次:21+数量:5000制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:5

详情介绍


技术参数

品牌:VISHAY
型号:SI2374DS-T1-GE3
批次:21+
数量:5000
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:5.9 A
Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV
Qg-栅极电荷:20 nC
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.7 W
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
配置:Single
高度:1.45 mm
长度:2.9 mm
系列:SI2
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:1.6 mm
商标:Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值:29 S
下降时间:10 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:23 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:16 ns
典型接通延迟时间:10 ns
单位重量:8 mg
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