技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI7611DN-T1-GE3 |
批次: | 21+ |
数量: | 5000 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerPAK-1212-8 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 18 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 25 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 41 nC |
最小工作温度: | - 50 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 39 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 1.04 mm |
长度: | 3.3 mm |
系列: | SI7 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 3.3 mm |
正向跨导 - 最小值: | 25 S |
下降时间: | 9 ns, 12 ns |
上升时间: | 11 ns, 150 ns |
典型关闭延迟时间: | 28 ns, 30 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns, 47 ns |
零件号别名: | SI7611DN-GE3 |
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