产品简介
技术参数品牌:IXYS型号:IXFH12N100F批号:23+数量:18593类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | IXYS |
型号: | IXFH12N100F |
批号: | 23+ |
数量: | 18593 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | IXYS |
系列: | HiPerFET™, F Class |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 1000 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 1.05 欧姆 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 5.5V @ 4mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 77 nC @ 10 V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 2700 pF @ 25 V |
功率耗散(值): | 300W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
- 上一篇: PIC18F2550-I/SO 集成电路(IC) Microch
- 下一篇: IXGR40N60C2 场效应管 IXYS 封装TO-247
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。