产品简介
技术参数品牌：ON型号：NDD04N60Z-1G封装：TO-251批号：23+数量：18449描述：MOSFETN-CH600V4AIPAK对无铅要求的达标情况：无铅湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）详细描述：通孔-N-通道-600V-4
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NDD04N60Z-1G |
| 封装： | TO-251 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 18449 |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK |
| 对无铅要求的达标情况： | 无铅 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 详细描述： | 通孔-N-通道-600V-4.1A（Tc）-83W（Tc）-I-PAK |
| 数据列表： | NDx04N60Z; |
| 标准包装： | 75 |
| 包装： | 管件 |
| 零件状态： | 停產 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | - |
| 其它名称： | NDD04N60Z-1G-ND |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | 4.1A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）： | 29nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）： | 640pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 83W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 供应商器件封装： | I-PAK |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
- 上一篇： DS2740BU+T&R 电子元器件 Maxim 封装U
- 下一篇： DS1670E+T&R 电子元器件 Maxim 封装TS
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。