技术参数
品牌: | IXYS |
型号: | IXFB100N50Q3 |
批号: | 23+ |
数量: | 18593 |
制造商: | IXYS |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | PLUS-264-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 500 V |
Id-连续漏极电流: | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 49 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Qg-栅极电荷: | 255 nC |
Pd-功率耗散: | 1.56 kW |
商标名: | HiPerFET |
配置: | Single |
系列: | IXFB100N50 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | IXYS |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 250 ns |
工厂包装数量: | 25 |
子类别: | MOSFETs |
单位重量: | 1.600 g |
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