技术参数
品牌: | IXYS |
型号: | IXFH18N100Q3 |
批号: | 23+ |
数量: | 18593 |
制造商: | IXYS |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 1 kV |
Id-连续漏极电流: | 18 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 660 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Qg-栅极电荷: | 90 nC |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 830 W |
商标名: | HiPerFET |
配置: | Single |
系列: | IXFH18N100 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | IXYS |
正向跨导 - 最小值: | 16 S |
下降时间: | 13 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 33 ns |
工厂包装数量: | 30 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 40 ns |
典型接通延迟时间: | 37 ns |
单位重量: | 1.600 g |
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