产品简介
技术参数品牌:ON型号:NTLJS3113PT1G封装:WFDN-6批号:23+数量:18568制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:WDFN-6通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:5
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTLJS3113PT1G |
封装: | WFDN-6 |
批号: | 23+ |
数量: | 18568 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | WDFN-6 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 5.8 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 90 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 8 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 670 mV |
Qg-栅极电荷: | 13 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.9 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 0.75 mm |
长度: | 2 mm |
系列: | NTLJS3113P |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 2 mm |
正向跨导 - 最小值: | 5.9 S |
下降时间: | 56.5 ns |
上升时间: | 17.5 ns |
典型关闭延迟时间: | 60 ns |
典型接通延迟时间: | 6.9 ns |
单位重量: | 9 mg |
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