产品简介
技术参数品牌:AOS/万代型号:AO8830批号:20+/21+封装:SOP数量:36500QQ:描述:MOSFET2N-CH20V6A8-TSSOP对无铅要求的达标情况:无铅湿气敏感性等级(MSL):1(无限)详细描述:MOSFET-阵列-2-N-沟道(双)共漏-20V-1
详情介绍
技术参数
品牌: | AOS/万代 |
型号: | AO8830 |
批号: | 20+/21+ |
封装: | SOP |
数量: | 36500 |
QQ: | |
描述: | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP |
对无铅要求的达标情况: | 无铅 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
详细描述: | MOSFET-阵列-2-N-沟道(双)共漏-20V-1.5W-表面贴装型-8-TSSOP |
标准包装: | 3,000 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 停產 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
系列: | - |
其它名称: | 785-1099-2 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 27 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 5.2nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 290pF @ 10V |
功率 - 值: | 1.5W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-TSSOP |
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