产品简介
技术参数品牌：ON/安森美型号：NTGS3446T1G批号：20+/21+封装：SOT23-6数量：36500QQ：制造商：ONSemiconductorFET类型：N通道25°C时电流-连续漏极(Id)：2.5A（Ta）驱动电压（RdsOn
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技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NTGS3446T1G |
| 批号： | 20+/21+ |
| 封装： | SOT23-6 |
| 数量： | 36500 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| FET 类型： | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 45 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 1.2V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±12V |
| 功率耗散（值）： | 500mW（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 漏源电压（Vdss）： | 20 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 15 nC @ 4.5 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 750 pF @ 10 V |
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