产品简介
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPD30N10S3L-34封装:PG-TO252-3批次:21+数量:4000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:30ARdsOn-漏源导通电阻:25
详情介绍
技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IPD30N10S3L-34 |
封装: | PG-TO252-3 |
批次: | 21+ |
数量: | 4000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 30 A |
Rds On-漏源导通电阻: | mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
Qg-栅极电荷: | 31 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 57 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | OptiMOS-T |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | mm |
下降时间: | 3 ns |
上升时间: | 4 ns |
典型关闭延迟时间: | 18 ns |
典型接通延迟时间: | 6 ns |
单位重量: | 4 g |
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