产品简介
技术参数品牌:VISHAY/威世型号:SIR422DP-T1-GE3封装:PAKSO-8批次:21+数量:4500制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:40VId-连续漏极电流:20
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY/威世 |
型号: | SIR422DP-T1-GE3 |
封装: | PAKSO-8 |
批次: | 21+ |
数量: | 4500 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerPAK-SO-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
Qg-栅极电荷: | 48 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | TrenchFET, PowerPAK |
配置: | Single |
系列: | SIR |
商标: | Vishay Semiconductors |
正向跨导 - 最小值: | 70 S |
下降时间: | 11 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 84 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 28 ns |
典型接通延迟时间: | 19 ns |
零件号别名: | SIR422DP-GE3 |
单位重量: | 240 mg |
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