技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | FDN338P |
封装: | SOT-23 |
批次: | 21+ |
数量: | 4000 |
制造商: | ON Semiconductor |
系列: | PowerTrench® |
FET 类型: | P 通道 |
Vgs(值): | ±8V |
功率耗散(值): | 500mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
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技术参数品牌:ON/安森美型号:FDN338P封装:SOT-23批次:21+数量:4000制造商:ONSemiconductor系列:PowerTrench®FET类型:P通道Vgs(值):±8V功率耗散(值):500mW(Ta)工作温度:-55°C~150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装/外壳:TO-236-3
品牌: | ON/安森美 |
型号: | FDN338P |
封装: | SOT-23 |
批次: | 21+ |
数量: | 4000 |
制造商: | ON Semiconductor |
系列: | PowerTrench® |
FET 类型: | P 通道 |
Vgs(值): | ±8V |
功率耗散(值): | 500mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
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