产品简介
技术参数品牌:TOSHIBA(东芝)型号:TBC847B,LM封装:SOT-23(SOT-23-3)批次:21+数量:369制造商:ToshibaSemiconductorandStorage晶体管类型:NPN不同 Ib、Ic时 Vce饱和压降(值):400mV@100mA
详情介绍
技术参数
品牌: | TOSHIBA(东芝) |
型号: | TBC847B,LM |
封装: | SOT-23(SOT-23-3) |
批次: | 21+ |
数量: | 369 |
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
晶体管类型: | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(值): | 400mV @ 100mA,5mA |
电流 - 集电极截止(值): | 30nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 200 @ 2mA,5V |
频率 - 跃迁: | 100MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装: | SOT-23 |
电流 - 集电极 (Ic)(值): | 150mA |
电压 - 集射极击穿(值): | 50V |
功率 - 值: | 320mW |
基本产品编号: | CUS10 |
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