产品简介
技术参数品牌：VISHAY(威世)型号：SI3457CDV-T1-GE3封装：TSOP-6批次：21+数量：100制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TSOP-6晶体管极性：P-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：5
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY(威世) |
| 型号： | SI3457CDV-T1-GE3 |
| 封装： | TSOP-6 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 100 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TSOP-6 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 5.1 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 74 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 10 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 3 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 3.05 mm |
| 系列： | SI3 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 1.65 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 8 S |
| 下降时间： | 10 ns |
| 上升时间： | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 20 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5 ns |
| 零件号别名： | SI3457BDV-T1-E3-S |
| 单位重量： | 20 mg |
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