产品简介
技术参数品牌:TOSHIBA(东芝)型号:SSM3K35AMFV
详情介绍
技术参数
品牌: | TOSHIBA(东芝) |
型号: | SSM3K35AMFV,L3F |
封装: | SOT-723 |
批次: | 21+ |
数量: | 16 |
制造商: | Toshiba |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VESM-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 250 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 750 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 350 mV |
Qg-栅极电荷: | 340 pC |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 500 mW |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | U-MOSIII |
配置: | Single |
系列: | SSM3K35AM |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | Toshiba |
正向跨导 - 最小值: | 0.5 S |
下降时间: | 5.5 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 2 ns |
工厂包装数量: | 8000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 6.5 ns |
典型接通延迟时间: | 2 ns |
单位重量: | 24 mg |
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