产品简介
技术参数品牌:DIODES/美台型号:ZXMC10A816N8TC批号:封装:SOIC-8_150mil数量:5000QQ:制造商:DiodesIncorporated产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-8晶体管极性:N-Channel
详情介绍
技术参数
品牌: | DIODES/美台 |
型号: | ZXMC10A816N8TC |
批号: |
封装: | SOIC-8_150mil |
数量: | 5000 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SO-8 |
晶体管极性: | N-Channel, P-Channel |
通道数量: | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 2.1 A, 2.2 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 230 mOhms, 235 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.7 V, 2 V |
Qg-栅极电荷: | 9.2 nC, 16.5 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.8 W |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
配置: | Dual |
高度: | 1.5 mm |
长度: | 4.95 mm |
系列: | ZXMC10A8 |
晶体管类型: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
宽度: | 3.95 mm |
商标: | Diodes Incorporated |
正向跨导 - 最小值: | 4.8 S, 4.7 S |
下降时间: | 5 ns, 12 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 2.1 ns, 5.2 ns |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 12.1 ns, 20 ns |
典型接通延迟时间: | 2.9 ns, 4.3 ns |
单位重量: | 74 mg |
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