产品简介
技术参数品牌:DIODES/美台型号:DMP21D5UFB4-7B批号:封装:X2-DFN1006-3数量:5000QQ:制造商:DiodesIncorporatedFET类型:P通道技术:MOSFET(金属氧化物)25°C时电流-连续漏极(Id):700mA(Ta)驱动电压(RdsOn
详情介绍
技术参数
品牌: | DIODES/美台 |
型号: | DMP21D5UFB4-7B |
批号: |
封装: | X2-DFN1006-3 |
数量: | 5000 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 700mA(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 1.2V,5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 970 毫欧 @ 100mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 1V @ 250µA |
Vgs(值): | ±8V |
功率耗散(值): | 460mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | X2-DFN1006-3 |
封装/外壳: | 3-XFDFN |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 500 nC @ 4.5 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 46.1 pF @ 10 V |
基本产品编号: | DMP21 |
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