技术参数
品牌: | DIODES/美台 |
型号: | DMN26D0UDJ-7 |
批号: | |
封装: | SOT-963 |
数量: | 5000 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-963-6 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 240 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 3 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4.5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 450 mV |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 300 mW |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
配置: | Dual |
产品: | MOSFET Gate Drivers |
系列: | DMN26 |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
类型: | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
商标: | Diodes Incorporated |
正向跨导 - 最小值: | 180 mS |
下降时间: | 15.2 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 7.9 ns |
工厂包装数量: | 10000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 13.4 ns |
典型接通延迟时间: | 3.8 ns |
单位重量: | 27 g |
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