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ON 场效应管 NTJD1155LT1G MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTJD1155LT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2 技术参数品牌:ON型号:NTJD1155LT1G批号:10+封装:SOT-363数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SC-88-6通道数量:2Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:8VId-连续漏极电流:1对比
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ON 场效应管 NTK3043NT1G MOSFET NFET 20V 285mA TR 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTK3043NT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2
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IPW60R099C6 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-247(AC) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IPW60R099C6 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IPW60R099C6封装:TO-247(AC)批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-247-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600VId-连续漏极电流:37对比
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ON 场效应管 NTJS3151PT1G MOSFET 12V 3.3A P-Channel 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTJS3151PT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1 技术参数品牌:ON型号:NTJS3151PT1G批号:10+封装:SOT-363数量:500QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SC-88-6通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:12VId-连续漏极电流:3对比
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IRFB3207ZPbF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220(TO-220-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFB3207ZPbF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRFB3207ZPbF封装:TO-220(TO-220-3)批次:21+数量:6000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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BSR316PH6327XTSA1 场效应管 Infineon/英飞凌 封装PG-SC-59-3 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 BSR316PH6327XTSA1 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 4
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ON 场效应管 NTD25P03LT4G MOSFET -30V -25A P-Channel 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTD25P03LT4G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1
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AUIRFN8403TR 场效应管 Infineon/英飞凌 封装PQFN5x6 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AUIRFN8403TR 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:AUIRFN8403TR封装:PQFN5x6批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PQFN-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:40VId-连续漏极电流:95ARdsOn-漏源导通电阻:3对比
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IRFR5505TRLPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装DPAK 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFR5505TRLPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 5
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ON 场效应管 NTD6415ANT4G 表面贴装型 N 通道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTD6415ANT4G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3 技术参数品牌:ON型号:NTD6415ANT4G批号:10+封装:SOT252数量:100QQ:制造商:ONSemiconductorFET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):23A(Tc)驱动电压(RdsOn对比
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SPU07N60C3 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-251(I-PAK) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SPU07N60C3 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:SPU07N60C3封装:TO-251(I-PAK)批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-251-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600VId-连续漏极电流:7对比
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IRLML2402TRPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装SOT-23(SOT-23-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRLML2402TRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRLML2402TRPBF封装:SOT-23(SOT-23-3)批次:21+数量:6000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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IRF1324PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220(TO-220-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF1324PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2
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IRF7530TRPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装MICRO8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF7530TRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRF7530TRPBF封装:MICRO8批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:Micro-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:5对比
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IRLL014NPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装SOT-223 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRLL014NPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 5 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRLL014NPBF封装:SOT-223批次:21+数量:6000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET对比
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AUIRF1405ZL 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-262 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AUIRF1405ZL 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:AUIRF1405ZL封装:TO-262批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-262-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:55VId-连续漏极电流:150ARdsOn-漏源导通电阻:5对比
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IRFL024ZTRPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装SOT-223 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFL024ZTRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRFL024ZTRPBF封装:SOT-223批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-223-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:55VId-连续漏极电流:5对比
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IRL3103PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220(TO-220-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRL3103PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 7 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRL3103PBF封装:TO-220(TO-220-3)批次:21+数量:6000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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IRF2807PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220(TO-220-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF2807PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3
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IRF3710LPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO262 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF3710LPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3
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IRF6716MTRPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装MG-WDSON-5 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF6716MTRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1
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IRF7351TRPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装SOIC-8_150mil 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF7351TRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRF7351TRPBF封装:SOIC-8_150mil批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-8通道数量:2Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:8ARdsOn-漏源导通电阻:17对比
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IRF6644TRPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装DIRECTFET MN 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF6644TRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 4 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRF6644TRPBF封装:DIRECTFETMN批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:DirectFET-MN晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:10对比
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AUIRFR2307Z 场效应管 Infineon/英飞凌 封装DPAK 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AUIRFR2307Z 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2
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IRF6714MTRPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装MG-WDSON-5 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF6714MTRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1
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IRF9389TRPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装SOIC-8_150mil 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF9389TRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRF9389TRPBF封装:SOIC-8_150mil批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-8晶体管极性:N-Channel,P-Channel通道数量:2ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:6对比
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IRFBC40PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220(TO-220-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFBC40PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 7 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRFBC40PBF封装:TO-220(TO-220-3)批次:21+数量:6000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-30C工作温度:90C最小电源电压:2对比
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IRFP4310ZPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-247(AC) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFP4310ZPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 4 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRFP4310ZPBF封装:TO-247(AC)批次:21+数量:6000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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IRL1404PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220(TO-220-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRL1404PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3
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IRFB7434PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220-3 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFB7434PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 5 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRFB7434PBF封装:TO-220-3批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:40VId-连续漏极电流:317ARdsOn-漏源导通电阻:1对比
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IRF100B202 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220(TO-220-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF100B202 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2
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BSC035N04LSGATMA1 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TDSON-8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 BSC035N04LSGATMA1 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:BSC035N04LSGATMA1封装:TDSON-8批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TDSON-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40VId-连续漏极电流:100ARdsOn-漏源导通电阻:2对比
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AUIRFR6215TRL 场效应管 Infineon/英飞凌 封装DPAK 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AUIRFR6215TRL 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 5
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IRF2907ZPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220AB 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF2907ZPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 5 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRF2907ZPBF封装:TO-220AB批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:75VId-连续漏极电流:170ARdsOn-漏源导通电阻:4对比
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IRF9321TRPbF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装SOIC-8_150mil 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF9321TRPbF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 4 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRF9321TRPbF封装:SOIC-8_150mil批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-8晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:15ARdsOn-漏源导通电阻:11对比
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IRF820PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220(TO-220-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF820PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 5 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRF820PBF封装:TO-220(TO-220-3)批次:21+数量:6000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-10C工作温度:100C最小电源电压:1对比
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IRFHM830TRPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装PQFN 3.3x3.3 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFHM830TRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRFHM830TRPBF封装:PQFN3对比
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IRFP1405PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-247(AC) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFP1405PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRFP1405PBF封装:TO-247(AC)批次:21+数量:6000制造商:InfineonTechnologies系列:HEXFET®FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):95A(Tc)驱动电压(RdsOn对比
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IRF510PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220(TO-220-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF510PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRF510PBF封装:TO-220(TO-220-3)批次:21+数量:6000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-40C工作温度:130C最小电源电压:1对比
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IRF7855PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装SOIC-8_150mil 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF7855PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRF7855PBF封装:SOIC-8_150mil批次:21+数量:6000制造商:InfineonTechnologies系列:HEXFET®FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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IRFSL3607PBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-262 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFSL3607PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 4 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRFSL3607PBF封装:TO-262批次:21+数量:6000制造商:InfineonTechnologies系列:HEXFET®FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):80A(Tc)驱动电压(RdsOn对比
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IRG4PC40UDPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-247(AC) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRG4PC40UDPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRG4PC40UDPBF封装:TO-247(AC)批次:21+数量:6000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-UGBT对比
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IPD80R1K4CEATMA1 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-252-3 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IPD80R1K4CEATMA1 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IPD80R1K4CEATMA1封装:TO-252-3批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFET安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:800VId-连续漏极电流:3对比
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BSS84PWH6327XTSA1 场效应管 Infineon/英飞凌 封装SOT-323(SC-70) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 BSS84PWH6327XTSA1 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3
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BSC0921NDIATMA1 场效应管 Infineon/英飞凌 封装PG-TDSON-8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 BSC0921NDIATMA1 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:BSC0921NDIATMA1封装:PG-TDSON-8批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TISON-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:40ARdsOn-漏源导通电阻:3对比
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IRLR8743TRPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-252-2(DPAK) 批次21+ 参考价 ¥面议
标签:
品牌 型号 IRLR8743TRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2
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IRF1010NPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220-3 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF1010NPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 4 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IRF1010NPBF封装:TO-220-3批次:21+数量:6000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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IRL2203NPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装TO-220(TO-220-3) 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRL2203NPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1
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BSP149H6327XTSA1 场效应管 Infineon/英飞凌 封装SOT-223 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 BSP149H6327XTSA1 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1 技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:BSP149H6327XTSA1封装:SOT-223批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-223-4通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:200VId-连续漏极电流:660mARdsOn-漏源导通电阻:1对比