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原装现货 IRF6894MTRPBF QFN MOS管场效应 IC芯片贴片 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF6894MTRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-11-23 浏览次数 4 IRFHM8330TRPBF对比
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优势供应 R6035KNZ4C13 分立半导体 晶体管 ROHM现货出售 参考价 ¥面议
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品牌 型号 R6035KNZ4C13 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-06 浏览次数 3
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优势供应 R6047KNZ4C13 晶体管 ROHM 22+ 现货出售 参考价 ¥面议
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品牌 型号 R6047KNZ4C13 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-06 浏览次数 4
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FGA50T65SHD 场效应管 onsemi 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FGA50T65SHD 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-29 浏览次数 7 技术参数品牌:onsemi型号:FGA50T65SHD批次:20+数量:8985制造商:ONSemiconductor产品种类:IGBT晶体管RoHS:是封装/箱体:TO-3PN安装风格:ThroughHole集电极—发射极电压VCEO:650V集电极—射极饱和电压:2对比
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FDMT800120DC 场效应管 onsemi 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMT800120DC 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-29 浏览次数 5 技术参数品牌:onsemi型号:FDMT800120DC批次:20+数量:34980制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:DualCool-88-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:120VId-连续漏极电流:129ARdsOn-漏源导通电阻:4对比
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BTA06-600SWRG 可控硅/晶闸管 N/A 封装N/A 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 BTA06-600SWRG 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 7 技术参数品牌:N/A型号:BTA06-600SWRG封装:N/A批次:20+数量:3000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-30C工作温度:90C最小电源电压:3对比
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DMN2004WK-7 场效应管 N/A 封装N/A 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 DMN2004WK-7 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 7 技术参数品牌:N/A型号:DMN2004WK-7封装:N/A批次:20+数量:3000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C工作温度:90C最小电源电压:4V电源电压:8V长度:6对比
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NDT2955 场效应管 N/A 封装N/A 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NDT2955 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 8 技术参数品牌:N/A型号:NDT2955封装:N/A批次:20+数量:3000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C工作温度:80C最小电源电压:2对比
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IRF3205PBF 场效应管 N/A 封装N/A 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF3205PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 8 技术参数品牌:N/A型号:IRF3205PBF封装:N/A批次:20+数量:3000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-10C工作温度:80C最小电源电压:2对比
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IRFB4115PBF 场效应管 N/A 封装N/A 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFB4115PBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 7 技术参数品牌:N/A型号:IRFB4115PBF封装:N/A批次:20+数量:3000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-20C工作温度:125C最小电源电压:2对比
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AO3403 场效应管 N/A 封装N/A 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO3403 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 9 技术参数品牌:N/A型号:AO3403封装:N/A批次:20+数量:3000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-30C工作温度:90C最小电源电压:5V电源电压:9V长度:8对比
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MCMA140P1600TA 可控硅/晶闸管 N/A 封装N/A 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 MCMA140P1600TA 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 8 技术参数品牌:N/A型号:MCMA140P1600TA封装:N/A批次:20+数量:3000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-20C工作温度:90C最小电源电压:4对比
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NTNS3193NZT5G 场效应管 N/A 封装N/A 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTNS3193NZT5G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 8 技术参数品牌:N/A型号:NTNS3193NZT5G封装:N/A批次:20+数量:3000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-20C工作温度:80C最小电源电压:2对比
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SIR850DP-T1-GE3 场效应管 TI/德州仪器 封装QFN8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SIR850DP-T1-GE3 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 6 技术参数品牌:TI/德州仪器型号:SIR850DP-T1-GE3封装:QFN8批次:21+数量:2000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-40C工作温度:100C最小电源电压:4对比
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SIS406DN-T1-GE3 场效应管 TI/德州仪器 封装QFN8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SIS406DN-T1-GE3 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 7 技术参数品牌:TI/德州仪器型号:SIS406DN-T1-GE3封装:QFN8批次:21+数量:2000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C工作温度:80C最小电源电压:4对比
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SI7658ADP-T1-GE3 场效应管 TI/德州仪器 封装QFN8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SI7658ADP-T1-GE3 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 7 技术参数品牌:TI/德州仪器型号:SI7658ADP-T1-GE3封装:QFN8批次:21+数量:2000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-30C工作温度:80C最小电源电压:1V电源电压:7对比
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SI7682DP-T1-E3 场效应管 TI/德州仪器 封装QFN8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SI7682DP-T1-E3 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 5 技术参数品牌:TI/德州仪器型号:SI7682DP-T1-E3封装:QFN8批次:21+数量:2000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-40C工作温度:125C最小电源电压:2V电源电压:7对比
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TISP61089BDR-S P61089B 封装SOP8 丝印61089B 高压振铃用户接口保护 参考价 ¥面议
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品牌 型号 TISP61089BDR-S 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 5 技术参数品牌:BOURNS/伯恩斯型号:TISP61089BDR-S封装:SOP8批次:21+数量:2000000类别:电路保护TVS-晶闸管制造商:BournsInc.电压-导通:64V电压-断态:170V电流-保持(Ih):150mA电容:100pF安装类型:表面贴装型封装/外壳:8-SOIC(0.154"对比
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SIZ710DT-T1-GE3 场效应管 VISHAY/威世 封装QFN8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SIZ710DT-T1-GE3 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 6 技术参数品牌:VISHAY/威世型号:SIZ710DT-T1-GE3封装:QFN8批次:21+数量:20000制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PowerPAIR-6x3对比
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SI7716ADN-T1-GE3 场效应管 TI/德州仪器 封装QFN8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SI7716ADN-T1-GE3 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 5 技术参数品牌:TI/德州仪器型号:SI7716ADN-T1-GE3封装:QFN8批次:21+数量:2000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C工作温度:100C最小电源电压:1V电源电压:9V长度:1对比
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AON6284 场效应管 AOS/万代 封装DFN5x6 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AON6284 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 4 技术参数品牌:AOS/万代型号:AON6284封装:DFN5x6批次:21+数量:2000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-10C工作温度:80C最小电源电压:3对比
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AO3400A 场效应管 AOS/万代 封装SOT23 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO3400A 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 4 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO3400A封装:SOT23批次:21+数量:2000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:不適用於新設計产品族:分立半导体产品系列:晶体管-FET对比
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AO3402 场效应管 AOS/万代 封装SOT23-3 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO3402 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 5 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO3402封装:SOT23-3批次:21+数量:2000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:不適用於新設計产品族:分立半导体产品系列:晶体管-FET对比
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AO6400 场效应管 AOS/万代 封装TSOP6 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO6400 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 5 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO6400封装:TSOP6批次:21+数量:2000制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):6.9A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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NTMFS5C628NLT1G 场效应管 ON/安森美 封装SO-8FL 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTMFS5C628NLT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 5 技术参数品牌:ON/安森美型号:NTMFS5C628NLT1G封装:SO-8FL批次:21+数量:2000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:DFN-5通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:150ARdsOn-漏源导通电阻:2对比
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AON6752 场效应管 AOS/万代 封装DFN56 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AON6752 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 5 技术参数品牌:AOS/万代型号:AON6752封装:DFN56批次:21+数量:2000对无铅要求的达标情况:无铅湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET对比
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FDMC3612 场效应管 ON/安森美 封装MLP8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMC3612 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 2 技术参数品牌:ON/安森美型号:FDMC3612封装:MLP8批次:21+数量:2000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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AO3422 场效应管 AOS/万代 封装SOT23 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO3422 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 4 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO3422封装:SOT23批次:21+数量:2000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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FDMA510PZ 场效应管 FAIRCHILD/仙童 封装DFN-6 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMA510PZ 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 4 技术参数品牌:FAIRCHILD/仙童型号:FDMA510PZ封装:DFN-6批次:21+数量:2000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:MicroFET-6通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:7对比
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2SJ162-E 场效应管 RENESAS/瑞萨 封装Renesas 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 2SJ162-E 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 4 技术参数品牌:RENESAS/瑞萨型号:2SJ162-E封装:Renesas批次:21+数量:2000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET对比
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CSD25310Q2 场效应管 TI/德州仪器 封装WSON6 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 CSD25310Q2 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 3 技术参数品牌:TI/德州仪器型号:CSD25310Q2封装:WSON6批次:21+数量:2000制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:WSON-6通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:20ARdsOn-漏源导通电阻:23对比
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AO4294 场效应管 AOS/万代 封装SOP8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO4294 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 2 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO4294封装:SOP8批次:21+数量:2000制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):11.5A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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AOD2210 场效应管 AOS/万代 封装TO252 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AOD2210 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-28 浏览次数 2 技术参数品牌:AOS/万代型号:AOD2210封装:TO252批次:21+数量:2000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:有源产品族:分立半导体产品系列:晶体管-FET对比
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AO4407A 场效应管 AOS/万代 封装SOP8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO4407A 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-27 浏览次数 5 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO4407A封装:SOP8批次:21+数量:2000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-10C工作温度:130C最小电源电压:2V电源电压:7V长度:4对比
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FDMC8200 场效应管 ON/安森美 封装POWER33 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMC8200 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-27 浏览次数 6
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P3500SBLRP 可控硅/晶闸管 LITTELFUSE/力特 封装DO214 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 P3500SBLRP 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-27 浏览次数 4
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FDMS86200 场效应管 ON/安森美 封装POWER56 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMS86200 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-27 浏览次数 4 技术参数品牌:ON/安森美型号:FDMS86200封装:POWER56批次:21+数量:2000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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AON7506 场效应管 AOS/万代 封装DFN8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AON7506 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-27 浏览次数 3 技术参数品牌:AOS/万代型号:AON7506封装:DFN8批次:21+数量:2000制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta)对比
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AO4447A 场效应管 AOS/万代 封装SOP8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO4447A 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-27 浏览次数 3 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO4447A封装:SOP8批次:21+数量:2000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-40C工作温度:90C最小电源电压:3对比
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SI2369DS-T1-GE3 场效应管 VISHAY/威世 封装SOT23 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SI2369DS-T1-GE3 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-27 浏览次数 2 技术参数品牌:VISHAY/威世型号:SI2369DS-T1-GE3封装:SOT23批次:21+数量:2000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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NTS4101PT1G 场效应管 ON/安森美 封装SOT323 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTS4101PT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-27 浏览次数 3 技术参数品牌:ON/安森美型号:NTS4101PT1G封装:SOT323批次:21+数量:2000制造商:onsemi产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-323-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:1对比
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IRFR1205TRPBF 场效应管 INFINEON 封装TO-252 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFR1205TRPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-27 浏览次数 4
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AO8810 场效应管 AOS/万代 封装TSSOP8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO8810 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-27 浏览次数 5 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO8810封装:TSSOP8批次:21+数量:2000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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IRF9540NSTRLPBF 场效应管 IR/国际整流器 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF9540NSTRLPBF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-26 浏览次数 5