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ON 场效应管 FDMS86150 MOSFET PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMS86150 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 4 技术参数品牌:ON型号:FDMS86150批号:21+封装:QFN-8数量:3000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:Power-56-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:60ARdsOn-漏源导通电阻:4对比
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ON 场效应管 FCPF165N65S3L1 MOSFET SuperFET3 650V 165 mOhm, TO220F PKG 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FCPF165N65S3L1 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 3
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AOS 场效应管 AO4803A MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO4803A 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 8
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ON 场效应管 FDMS1D5N03 MOSFET PT9 30V/12V Nch PowerTrench SyncFET 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMS1D5N03 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 5
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ON 场效应管 FDMC8321LDC MOSFET N-CH 40V 27A POWER33 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMC8321LDC 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 2
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ON 场效应管 FDMC4435BZ MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMC4435BZ 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 技术参数品牌:ON型号:FDMC4435BZ批号:18+封装:original数量:100QQ:描述:MOSFETP-CH30V8对比
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ON 场效应管 NTHD3101FT1G MOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTHD3101FT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 技术参数品牌:ON型号:NTHD3101FT1G批号:10+封装:SOT23-8数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:ChipFET-8通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:4对比
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ON 场效应管 NTTFS5811NLTAG MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTTFS5811NLTAG 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 技术参数品牌:ON型号:NTTFS5811NLTAG批号:10+封装:original数量:200QQ:描述:MOSFETN-CH40V53对比
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ON 场效应管 NTMFS4943NT1G MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8FL 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTMFS4943NT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数
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ON 场效应管 NTLJS3113PTAG MOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTLJS3113PTAG 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 技术参数品牌:ON型号:NTLJS3113PTAG批号:10+封装:original数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:WDFN-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:5对比
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场效应管 FDN306P 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDN306P 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1 技术参数品牌:ON/FAIRCHILD型号:FDN306P批号:20+封装:SOT23数量:20000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SSOT-3通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:12VId-连续漏极电流:2对比
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场效应管 FQD2N60CTM 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FQD2N60CTM 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1 技术参数品牌:ON/FAIRCHILD型号:FQD2N60CTM批号:20+封装:TO-252数量:20000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600VId-连续漏极电流:1对比
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场效应管 FDN358P 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDN358P 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 技术参数品牌:ON/FAIRCHILD型号:FDN358P批号:20+封装:SOT-23数量:20000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SSOT-3通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:1对比
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NDS356AP 场效应管 FAIRCHILD 封装SOT23 批次09+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NDS356AP 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 杰鹏盛-只做原装对比
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ON 场效应管 NDUL03N150CG MOSFET Pwr MOSFET 1500V 25A 10.5Ohm N-CH 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NDUL03N150CG 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 3 技术参数品牌:ON型号:NDUL03N150CG批号:20+封装:TO-3PL-3L数量:9240QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-3PF-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:1对比
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ON 场效应管 2N7002WT1G 表面贴装型 N 通道 60 V 310mA(Ta) 280mW(Tj) SC-70-3(SOT323) 参考价 ¥面议
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品牌 型号 2N7002WT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1 技术参数品牌:ON型号:2N7002WT1G批号:10+封装:SC-70数量:70QQ:制造商:ONSemiconductorFET类型:N通道技术:MOSFET(金属氧化物)25°C时电流-连续漏极(Id):310mA(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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ON 场效应管 FGD5T120SH IGBT 沟槽型场截止 1200V 10A 69W 表面贴装型 DPAK 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FGD5T120SH 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 2 技术参数品牌:ON型号:FGD5T120SH批号:10+封装:DPAK数量:70QQ:制造商:ONSemiconductorIGBT类型:沟槽型场截止不同 Vge、Ic时 Vce(on)(值):3.6V@15V对比
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ON 场效应管 NTMFS4C10NT1G MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 46A, 6.95m 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTMFS4C10NT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 4
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ON 场效应管 NTB25P06T4G 表面贴装型 P 通道 27.5A(Ta) 120W(Tj) D2PAK 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTB25P06T4G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1 技术参数品牌:ON型号:NTB25P06T4G批号:12+封装:TO-263数量:50QQ:制造商:ONSemiconductorFET类型:P通道技术:MOSFET(金属氧化物)25°C时电流-连续漏极(Id):27.5A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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ON 场效应管 NTE4153NT1G MOSFET 20V 915mA N-Channel 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTE4153NT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 3
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ON 场效应管 NTD5802NT4G MOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTD5802NT4G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 2 技术参数品牌:ON型号:NTD5802NT4G批号:13+封装:TO-252数量:100QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40VId-连续漏极电流:101ARdsOn-漏源导通电阻:4对比
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ON 场效应管 NTGS3136PT1G MOSFET PFET TSOP6 20V/8V TR 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTGS3136PT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1 技术参数品牌:ON型号:NTGS3136PT1G批号:11+封装:SOT23-6数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TSOP-6通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:5对比
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ON 场效应管 FGP10N60UNDF IGBT 600V 20A 139W TO220-3 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FGP10N60UNDF 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数
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ON 场效应管 FDB047N10 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDB047N10 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 3 技术参数品牌:ON型号:FDB047N10批号:10+封装:TO-263数量:60QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-263-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:164ARdsOn-漏源导通电阻:4对比
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ON 场效应管 NTMFS5H400NLT1G MOSFET T8 40V LOW COSS 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTMFS5H400NLT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1
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ON 场效应管 NTHD3133PFT1G SOT23-8 10+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTHD3133PFT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1
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ON 场效应管 NTLUS3A18PZTAG MOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTLUS3A18PZTAG 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 2 技术参数品牌:ON型号:NTLUS3A18PZTAG批号:16+封装:UDFN6数量:1200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:UDFN-6通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:5对比
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ON 场效应管 NTJS3157NT1G MOSFET 20V 4A N-Channel 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTJS3157NT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 5
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ON 场效应管 NTMFD4C20NT1G MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTMFD4C20NT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1 技术参数品牌:ON型号:NTMFD4C20NT1G批号:14+封装:DFN-8数量:80QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:DFN-8晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:12ARdsOn-漏源导通电阻:7对比
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ON 场效应管 FQD18N20V2TM MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FQD18N20V2TM 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1
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IKW40T120 场效应管 INFINEON 封装TO-247 批次1203+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IKW40T120 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 3 杰鹏盛-只做原装对比
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ON 场效应管 NTR5198NLT1G MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTR5198NLT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1 技术参数品牌:ON型号:NTR5198NLT1G批号:13+封装:SOT323数量:88QQ:描述:MOSFETN-CH60V1对比
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ON 场效应管 NTMFS5C646NLT1G MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTMFS5C646NLT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 技术参数品牌:ON型号:NTMFS5C646NLT1G批号:17+封装:QFN8数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-FL-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:89ARdsOn-漏源导通电阻:4对比
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ON 场效应管 NTJS4405NT1G 表面贴装型 N 通道 1A(Ta) 630mW(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTJS4405NT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 4 技术参数品牌:ON型号:NTJS4405NT1G批号:10+封装:SOT-363数量:200QQ:制造商:ONSemiconductorFET类型:N通道技术:MOSFET(金属氧化物)25°C时电流-连续漏极(Id):1A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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ON 场效应管 NTHS5404T1G MOSFET 20V 7.2A N-Channel 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTHS5404T1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 技术参数品牌:ON型号:NTHS5404T1G批号:10+封装:QFN数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:ChipFET-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:7对比
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ON 场效应管 NTMS4917NR2G 表面贴装型 N 通道 30V 7.1A(Ta) 880mW(Ta) 8-SOIC 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTMS4917NR2G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 1 技术参数品牌:ON型号:NTMS4917NR2G批号:10+封装:SOP-8数量:200QQ:制造商:ONSemiconductorFET类型:N通道技术:MOSFET(金属氧化物)25°C时电流-连续漏极(Id):7.1A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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ON 场效应管 NTS4173PT1G MOSFET PFET SC70 30V TR 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTS4173PT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 4 技术参数品牌:ON型号:NTS4173PT1G批号:10+封装:SOT323数量:490QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SC-70-3通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:1对比
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ON 场效应管 NTK3139PT1G MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTK3139PT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数
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ON 场效应管 NTTFS4937NTAG MOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTTFS4937NTAG 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-15 浏览次数 2
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ON 场效应管 NTJD4105CT1G MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTJD4105CT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1 技术参数品牌:ON型号:NTJD4105CT1G批号:10+封装:SC70-6数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel对比
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ON 场效应管 NTMFS4939NT1G MOSFET NFET SO8FL 30V 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTMFS4939NT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 3 技术参数品牌:ON型号:NTMFS4939NT1G批号:10+封装:QFN8数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-FL-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:15对比
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ON 场效应管 NTGS3130NT1G MOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTGS3130NT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 技术参数品牌:ON型号:NTGS3130NT1G批号:10+封装:SOT-163数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TSOP-6通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:5对比
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ON 场效应管 FDMS86255ET150 MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 63A, 12.4m 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMS86255ET150 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1
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ON 场效应管 NTTFS5820NLTAG MOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTTFS5820NLTAG 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 1
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ON 场效应管 NTHD4502NT1G MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTHD4502NT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 2 技术参数品牌:ON型号:NTHD4502NT1G批号:10+封装:CHIP-8数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:ChipFET-8通道数量:2Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:2对比
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ON 场效应管 NTS4101PT1G MOSFET -20V -1.37A P-Channel 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTS4101PT1G 类型 MOS管 厂商性质 其他 更新时间 2023-07-14 浏览次数 技术参数品牌:ON型号:NTS4101PT1G批号:10+封装:SOT323数量:1000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-323-3通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:1对比
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